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            層狀半導體Mo Se2/WSe2熱學性能參數定量分析?

            彭春  楊學弦  黃勇剛  王小云  彭金璋  
            【摘要】:利用鍵弛豫理論與局域鍵平均近似方法對過渡金屬Mo Se2和WSe2的熱學參數進行了定量分析,建立了熱膨脹系數、晶格常數、熱應變分別與溫度的函數關系式,揭示了層狀半導體材料熱學參量的溫度效應物理機制,并獲得了塊體Mo Se2和WSe2的德拜溫度分別為276,260K.實驗結果表明,熱膨脹系數與德拜比熱成正比,與原子結合能成反比;溫度高于材料的德拜溫度的1/3時,晶格常數、熱應變與溫度呈線性關系.
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